-
1 drain-source (d. c.) voltage
напряжение сток-исток
-
Обозначение
UCИ
UDS
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
EN
- drain-source (d. c.) voltage
DE
FR
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > drain-source (d. c.) voltage
-
2 maximum drain-source-voltage
максимально допустимое напряжение сток-исток
-
Обозначение
UСИmax
UDSmax
Примечание
Под максимально допустимыми параметрами понимают значения конкретных режимов транзистора, которые потребитель не должен превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
EN
DE
FR
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > maximum drain-source-voltage
-
3 drain-to-source voltage
Универсальный англо-русский словарь > drain-to-source voltage
-
4 drain current
ток стока
Ток, протекающий в цепи сток-исток при напряжении сток-исток, равном или большем, чем напряжение насыщения, и при заданном напряжении затвор-исток.
Обозначение
IС
ID
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
EN
DE
FR
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > drain current
-
5 одноэлектронный транзистор
Одноэлектронный транзисторНаноэлектронное устройство, основанное на эффекте дискретного туннелирования отдельных электронов и обеспечивающее ультранизкие уровни потребления энергии при ультранизких рабочих напряжениях.
Схема одноэлектронного транзистора.Если приложить некоторое небольшое напряжение между истоком и стоком транзистора, то ток протекать не будет, поскольку электроны в данный момент заблокированы на наночастице. Для появления тока необходимо увеличить потенциал на управляющем электроде – затворе. Только когда потенциал на затворе станет больше некоторого порогового значения, блокада прорывается, электрон получает способность пройти через барьер, и в цепи исток-сток начинает протекать ток. Таким образом, управляя потенциалом на затворе, можно пропускать через барьеры одиночные электроны.Англо-русский словарь по нанотехнологиям > одноэлектронный транзистор
-
6 single-electron transistor
Одноэлектронный транзисторНаноэлектронное устройство, основанное на эффекте дискретного туннелирования отдельных электронов и обеспечивающее ультранизкие уровни потребления энергии при ультранизких рабочих напряжениях.Схема одноэлектронного транзистора.Если приложить некоторое небольшое напряжение между истоком и стоком транзистора, то ток протекать не будет, поскольку электроны в данный момент заблокированы на наночастице. Для появления тока необходимо увеличить потенциал на управляющем электроде – затворе. Только когда потенциал на затворе станет больше некоторого порогового значения, блокада прорывается, электрон получает способность пройти через барьер, и в цепи исток-сток начинает протекать ток. Таким образом, управляя потенциалом на затворе, можно пропускать через барьеры одиночные электроны.Англо-русский словарь по нанотехнологиям > single-electron transistor
См. также в других словарях:
напряжение сток-исток — Обозначение UCИ UDS [ГОСТ 19095 73] Тематики полупроводниковые приборы EN drain source (d. c.) voltage DE Drain Source Spannung FR tension (continue) drain source … Справочник технического переводчика
максимально допустимое напряжение сток-исток — Обозначение UСИmax UDSmax Примечание Под максимально допустимыми параметрами понимают значения конкретных режимов транзистора, которые потребитель не должен превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная… … Справочник технического переводчика
БСИТ — (Биполярный транзистор со статической индукцией; англ. BSIT, Bipolar Static Induction Transistor) мощный высокочастотный полупроводниковый прибор с вертикальной многоканальной структурой. БСИТ не является русскоязычным синонимом IGBT… … Википедия
Усилитель электрических колебаний — устройство, предназначенное для усиления электрических (электромагнитных) колебаний в системах многоканальной связи, радиоприёмной, радиопередающей, измерительной и др. аппаратуре. Такое усиление представляет собой процесс управления… … Большая советская энциклопедия
Источник опорного напряжения — Источник, или генератор, опорного напряжения (ИОН) базовый электронный узел, поддерживающий на своём выходе высокостабильное постоянное электрическое напряжение. ИОН применяются для задания величины выходного напряжения стабилизированных… … Википедия
Электроника — У этого термина существуют и другие значения, см. Электроника (значения). Различные электронные компоненты Электроника (от греч … Википедия
СЭСППЗУ — Сюда перенаправляется запрос Флэш карты. На тему «Флэш карты» нужна отдельная статья. USB накопитель на флеш‐памяти Флеш‐память (англ. Flash Memory) разновидность твердотельной полупроводниковой энергонезависимой перезаписываемой памяти. Она… … Википедия
Флеш память — Сюда перенаправляется запрос Флэш карты. На тему «Флэш карты» нужна отдельная статья. USB накопитель на флеш‐памяти Флеш‐память (англ. Flash Memory) разновидность твердотельной полупроводниковой энергонезависимой перезаписываемой памяти. Она… … Википедия
Флэш-диск — Сюда перенаправляется запрос Флэш карты. На тему «Флэш карты» нужна отдельная статья. USB накопитель на флеш‐памяти Флеш‐память (англ. Flash Memory) разновидность твердотельной полупроводниковой энергонезависимой перезаписываемой памяти. Она… … Википедия
Флэш-карты — Сюда перенаправляется запрос Флэш карты. На тему «Флэш карты» нужна отдельная статья. USB накопитель на флеш‐памяти Флеш‐память (англ. Flash Memory) разновидность твердотельной полупроводниковой энергонезависимой перезаписываемой памяти. Она… … Википедия
Флэш диск — Сюда перенаправляется запрос Флэш карты. На тему «Флэш карты» нужна отдельная статья. USB накопитель на флеш‐памяти Флеш‐память (англ. Flash Memory) разновидность твердотельной полупроводниковой энергонезависимой перезаписываемой памяти. Она… … Википедия
